TERAVIL提供的光纤耦合太赫兹发射器和检测器专为宽带操作而设计,可以在标准时域中使用。根据泵浦激光器的波长,可以使用低温生长的GaAs(LT-GaAs)或GaBiAs作为光电导体。材料具有高灵敏度,可检测的波长范围约为。800 nm和1060 nm,电子寿命短于1 ps。结果,可以产生和检测具有高达5 THz的宽光谱的短半周期THz脉冲。泵浦束纤维的输送消除了费时的调整,并确保了良好的实验灵活性。例如,此功能允许在不同的几何形状之间进行快速便捷的切换:透射,反射等。太赫兹发射器和检测器安装在与标准1英寸光学支架兼容的紧凑型外壳中(图1)。检查每个设备的性能,并为客户提供技术护照,包括测试报告。
• 基于LT-GaAs或GaBiAs光电导材料
• 针对800 nm或1060 nm左右的波长进行了优化
• 光谱范围广,噪音低
• 随附技术护照和测试报告
• 时间分辨宽带太赫兹光谱
• 光学泵浦-THz探针光谱
• 适用于全光纤系统解决方案
安装在1“光学支架上的FC-Emitter(或探测器)
太赫兹发射器和检波器随附有由高电阻率硅制成的集成式超半球形透镜,该透镜与PCA相连,可提高太赫兹波向自由空间的辐射效率。TERAVIL提供两种标准类型的镜头:用于准直或发散的太赫兹光束输出。准直太赫兹光束输出的优点是设置简单,因为实验中不需要在太赫兹发射器和检测器之间附加光学组件。但是,该设计具有太赫兹光束的较大球差,这会影响聚焦。在第二种情况下,镜片的设计假定PCA位于非平面点,这大大降低了球面像差。结果,可以实现太赫兹光束的几乎衍射极限光斑。
光电导天线是专门为太赫兹发射器或太赫兹检测器设计的。GaAs的衬底包含经蚀刻的GaBiAs外延有源层,以实现高耐暗性。材料的高光敏性允许使用低平均功率的光脉冲进行激发。使用AuGeNi金属化技术在其表面上形成共面的Hertzian型偶极天线结构(图2)。金属触点之间的间隙在探测器情况下类似于激光光斑直径,在发射器情况下更大。光电导芯片安装在PCB上,并放置在设备的金属外壳内。外壳背面的SMA插座用于将DC或AC偏置连接到THz发射器,或者将锁相放大器输入连接到THz检测器。
微带天线图:(a)发射器,(b)检测器(所有尺寸均以微米为单位)
类型 | 发射器 | 探测器 | ||
EMT-08-FC | EMT-10-FC | DET-08-FC | DET-10-FC | |
光导天线 | ||||
光导材料 | LT-GaAs | GaBiAs | LT-GaAs | GaBiAs |
晶圆的尺寸 | 5 × 1.5 mm | |||
厚度 | 600 µm | |||
天线类型 | 带状传输线 | 偶极 | ||
偏置电压 | ≤ 50 V,典型值40 V. | |||
太赫兹中心评率 | ~0.5 THz | 0.5 THz | ||
太赫兹检测带宽 | – | 高 达 5 THz | ||
集成聚焦镜头 | ||||
材料l | HRFZ-silicon | |||
几何形状 | 超半球 | |||
太赫兹光束输出 | 准直或发散 | – | ||
输出光束 | ||||
波长 | 800±40 nm | 1060±40 nm | 800±40 nm | 1060±40 nm |
光纤长度 | 1±0.1 m | |||
光纤输入的光功率 | <100 mW | |||
光纤连接器 | FC/PC |
用于800 nm波长的光纤耦合太赫兹探测器 |
EMT-8-FC | 包括Si镜头,带FC PC连接器的光纤,带BNC连接器的同轴电缆 |
用于800 nm波长的光纤耦合太赫兹探测器 |
DET-8-FC | 包括Si镜头,带FC PC连接器的光纤,带BNC连接器的同轴电缆 包括Si镜头,带FC PC连接器的光纤,带 |
用于1060 nm波长的光纤耦合太赫兹发射器 |
EMT-10-FC | BNC连接器的同轴电缆 |
用于1060 nm波长的光纤耦合太赫兹探测器 |
DET-10-FC | 包括Si镜头,带FC / PC连接器的光纤,带BNC连接器的同轴电缆 |