产品介绍

FL 9BW 是鑫图针对长曝光应用开发的深度制冷CMOS相机。它采用索尼的背照式CMOS芯片技术和鑫图先进制冷密封工艺、图像降噪技术联合打造，不仅长曝光关键性能达到了深度制冷CCD的水平，还同时具有现代CMOS高灵敏度、高速、高动态等性能特征，可以替代制冷CCD长曝光应用。

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• <0.0005 e-/p/s暗电流、可替代冷CCD长曝光应用

• FL 9BW暗电流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可达-25℃，关键性能达到了深度制冷CCD相当的水平。在~10分钟长曝光的条件下，FL 9BW仍能获取高信噪比(SNR)的图像，且在正常曝光时间内 (60分钟)，信噪比优于695 CCD。

• 背景均一、定量分析更精准

  FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光抑制能力和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。

• SONY 背照式科学级芯片、综合成像性能优异

  FL 9BW采用索尼背照式科学级CMOS芯片，不仅长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力优于CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，综合成像性能优异。

技术参数 

应用方向